Контакты +7 903 509 63 53

Search

Showing 4465–4488 of 6174 results

Сортировать

LQW2BHNR22J03L, Проволочная SMD индуктивность 220нГн ±5% 240мА 700мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 220nH 5% 100MHz 35Q-Factor Ceramic 240mA 700mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 220нГн ±5% 240мА 700мОм по постоянному току

LQW2BHNR27J03L, Проволочная SMD индуктивность 270нГн ±5% 190мА 2Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 270nH 5% 10MHz 15Q-Factor Ceramic 190mA 2Ohm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 270нГн ±5% 190мА 2Ом по постоянному току

LQW2BHNR27J03L, Проволочная SMD индуктивность 270нГн ±5% 190мА 2Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 270nH 5% 10MHz 15Q-Factor Ceramic 190mA 2Ohm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 270нГн ±5% 190мА 2Ом по постоянному току

LQW2BHNR33J03L, Проволочная SMD индуктивность 330нГн ±5% 180мА 2,2Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 330nH 5% 10MHz 15Q-Factor Ceramic 180mA 2.2Ohm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 330нГн ±5% 180мА 2,2Ом по постоянному току

LQW2BHNR33J03L, Проволочная SMD индуктивность 330нГн ±5% 180мА 2,2Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 330nH 5% 10MHz 15Q-Factor Ceramic 180mA 2.2Ohm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 330нГн ±5% 180мА 2,2Ом по постоянному току

LQW2BHNR39J03L, Проволочная SMD индуктивность 390нГн ±5% 170мА 2,5Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 390nH 5% 10MHz 15Q-Factor Ceramic 170mA 2.5Ohm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 390нГн ±5% 170мА 2,5Ом по постоянному току

LQW2BHNR39J03L, Проволочная SMD индуктивность 390нГн ±5% 170мА 2,5Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 390nH 5% 10MHz 15Q-Factor Ceramic 170mA 2.5Ohm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 390нГн ±5% 170мА 2,5Ом по постоянному току

LQW2BHNR47J03L, Проволочная SMD индуктивность 470нГн ±5% 160мА 2,8Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 470nH 5% 10MHz 15Q-Factor Ceramic 160mA 2.8Ohm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 470нГн ±5% 160мА 2,8Ом по постоянному току

LQW2BHNR47K03L, Проволочная SMD индуктивность 470нГн ±10% 160мА 2,8Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 0.47uH 10% 10MHz 15Q-Factor Non Magnetic 0.16A 2.8Ohm DCR 0805 Проволочная SMD индуктивность 470нГн ±10% 160мА 2,8Ом по постоянному току

LQW2UAS1R0J00L, Катушка постоянной индуктивности 1000нГн 370мА 290МГц

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 1uH 5% 25MHz 35Q-Factor Ceramic 370mA 1.75Ohm DCR 1008 T/R Катушка постоянной индуктивности 1000нГн 370мА 290МГц

LQW2UAS1R0J00L, Катушка постоянной индуктивности 1000нГн 370мА 290МГц

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 1uH 5% 25MHz 35Q-Factor Ceramic 370mA 1.75Ohm DCR 1008 T/R Катушка постоянной индуктивности 1000нГн 370мА 290МГц

LQW2UAS47NJ00L, Проволочная SMD индуктивность 47нГн ±5% 1A 160мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 47nH 5% 50MHz 65Q-Factor Ceramic 1A 160mOhm DCR 1008 T/R Проволочная SMD индуктивность 47нГн ±5% 1A 160мОм по постоянному току

LVF303015-4R7M-N, Индуктивность и дроссель SMD-исполнения

Inductor Power Semi-Shielded Wirewound 4.7uH 20% 1MHz 10Q-Factor Ferrite 1.36A 170mOhm DCR 1212 T/R

LVS606045-221M-N, ЧИП-индуктивность силовая залитая 220мкГн ±20%, 0.38A, 1.3Ом

Sealed Power Inductor 220uH ±20%, 0.38A, 1.3Ohm ЧИП-индуктивность силовая залитая 220мкГн ±20%, 0.38A, 1.3Ом

MHCI05030-2R2M-R8, ЧИП-индуктивность силовая 5.4*5.7*3.0мм, 2.2мкГн, ±20%, 0.035Ом, 5А

Power Inductor 5.4*5.7*3.0mm, 2.2µH, ±20%, 0.035Ohm, 5А ЧИП-индуктивность силовая 5.4*5.7*3.0мм, 2.2мкГн, ±20%, 0.035Ом, 5А

MHCI05030-2R2M-R8, ЧИП-индуктивность силовая 5.4*5.7*3.0мм, 2.2мкГн, ±20%, 0.035Ом, 5А

Power Inductor 5.4*5.7*3.0mm, 2.2µH, ±20%, 0.035Ohm, 5А ЧИП-индуктивность силовая 5.4*5.7*3.0мм, 2.2мкГн, ±20%, 0.035Ом, 5А

MHQ1005P10NJT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.01мкГн ±5% 100МГц 23Q-Фактор керамика 0.5A 0.19Ом

Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.01uH 5% 100MHz 23Q-Factor Ceramic 0.5A 0.19Ohm ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.01мкГн ±5% 100МГц 23Q-Фактор керамика 0.5A 0.19Ом

MHQ1005P10NJT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.01мкГн ±5% 100МГц 23Q-Фактор керамика 0.5A 0.19Ом

Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.01uH 5% 100MHz 23Q-Factor Ceramic 0.5A 0.19Ohm ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.01мкГн ±5% 100МГц 23Q-Фактор керамика 0.5A 0.19Ом

 

 

Back to Top
Product has been added to your cart