Контакты +7 903 509 63 53

Search

Showing 4489–4512 of 6174 results

Сортировать

MHQ1005P1N0CT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.001мкГн±0.2нГн 100МГц керамика 1.2A 0.03Ом

Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.001uH 0.2nH 100MHz Ceramic 1.2A 0.03Ohm DCR ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.001мкГн±0.2нГн 100МГц керамика 1.2A 0.03Ом

MHQ1005P1N0CT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.001мкГн±0.2нГн 100МГц керамика 1.2A 0.03Ом

Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.001uH 0.2nH 100MHz Ceramic 1.2A 0.03Ohm DCR ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.001мкГн±0.2нГн 100МГц керамика 1.2A 0.03Ом

MHQ1005P1N2CT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0012мкГн±0.2нГн 100МГц керамика 1.2A 0.03Ом 0

Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.0012uH 0.2nH 100MHz Ceramic 1.2A 0.03Ohm DCR 0 ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0012мкГн±0.2нГн 100МГц керамика 1.2A 0.03Ом 0

MHQ1005P1N5CT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0015мкГн±0.2нГн 100МГц 23Q-Фактор керамика 1A

Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.0015uH 0.2nH 100MHz 23Q-Factor Ceramic 1A ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0015мкГн±0.2нГн 100МГц 23Q-Фактор керамика 1A

MHQ1005P1N5CT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0015мкГн±0.2нГн 100МГц 23Q-Фактор керамика 1A

Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.0015uH 0.2nH 100MHz 23Q-Factor Ceramic 1A ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0015мкГн±0.2нГн 100МГц 23Q-Фактор керамика 1A

MHQ1005P1N8CT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0018мкГн±0.2нГн 100МГц 23Q-Фактор керамика 1A

Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.0018uH 0.2nH 100MHz 23Q-Factor Ceramic 1A ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0018мкГн±0.2нГн 100МГц 23Q-Фактор керамика 1A

MHQ1005P1N8CT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0018мкГн±0.2нГн 100МГц 23Q-Фактор керамика 1A

Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.0018uH 0.2nH 100MHz 23Q-Factor Ceramic 1A ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0018мкГн±0.2нГн 100МГц 23Q-Фактор керамика 1A

MHQ1005P22NJT000, ЧИП-индуктивность ысокочастотная многослойная неэкранированная 22нГн ±5% 100МГц 20Q-фактор керамика 230мА 1.1Ом

Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 22nH 5% 100MHz 20Q-Factor Ceramic 230mA 1.1Ohm D ЧИП-индуктивность ысокочастотная многослойная неэкранированная 22нГн ±5% 100МГц 20Q-фактор керамика 230мА 1.1Ом

MHQ1005P2N0CT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.002мкГн±0.2нГн 100МГц 23Q-Фактор керамика 1A 0.05O

Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.002uH 0.2nH 100MHz 23Q-Factor Ceramic 1A 0.05O ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.002мкГн±0.2нГн 100МГц 23Q-Фактор керамика 1A 0.05O

MHQ1005P2N2BT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 2.2нГн±0.1нГн 100МГц 23Q-Фактор керамика 1A 60мОм

Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 2.2nH 0.1nH 100MHz 23Q-Factor Ceramic 1A 60mOhm ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 2.2нГн±0.1нГн 100МГц 23Q-Фактор керамика 1A 60мОм

MHQ1005P2N2CT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0022мкГн±0.2нГн 100МГц 23Q-Фактор керамика 1A

Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.0022uH 0.2nH 100MHz 23Q-Factor Ceramic 1A ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0022мкГн±0.2нГн 100МГц 23Q-Фактор керамика 1A

MHQ1005P2N2CT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0022мкГн±0.2нГн 100МГц 23Q-Фактор керамика 1A

Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.0022uH 0.2nH 100MHz 23Q-Factor Ceramic 1A ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0022мкГн±0.2нГн 100МГц 23Q-Фактор керамика 1A

MHQ1005P2N7CT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0027мкГн±0.2нГн 100МГц 23Q-Фактор керамика 0.9A

Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.0027uH 0.2nH 100MHz 23Q-Factor Ceramic 0.9A ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0027мкГн±0.2нГн 100МГц 23Q-Фактор керамика 0.9A

MHQ1005P33NGT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.033мкГн ±2% 100МГц 20Q-Фактор керамика 0.22A 1.5Ом

Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.033uH 2% 100MHz 20Q-Factor Ceramic 0.22A 1.5Oh ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.033мкГн ±2% 100МГц 20Q-Фактор керамика 0.22A 1.5Ом

MHQ1005P3N0BT000, ЧИП-индуктивность ысокочастотная многослойная неэкранированная 0.003мкГн 0.1нГн 100МГц 23Q-фактор керамика 0.9A

Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.003uH 0.1nH 100MHz 23Q-Factor Ceramic 0.9A 0.0 ЧИП-индуктивность ысокочастотная многослойная неэкранированная 0.003мкГн 0.1нГн 100МГц 23Q-фактор керамика 0.9A

MHQ1005P3N0CT, ЧИП-индуктивность многослойная неэкранированная 3нГн±0.2нГн±0402 80 мОм 0.9A лента на катушке

Inductor Multilayer 3nH 0.2nH 0402 SMD 80 mOhm 0.9A Unshielded T/R ЧИП-индуктивность многослойная неэкранированная 3нГн±0.2нГн±0402 80 мОм 0.9A лента на катушке

MHQ1005P3N3CT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0033мкГн±0.2нГн 100МГц 23Q-Фактор керамика 0.9A

Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.0033uH 0.2nH 100MHz 23Q-Factor Ceramic 0.9A ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0033мкГн±0.2нГн 100МГц 23Q-Фактор керамика 0.9A

MHQ1005P3N3CT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0033мкГн±0.2нГн 100МГц 23Q-Фактор керамика 0.9A

Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.0033uH 0.2nH 100MHz 23Q-Factor Ceramic 0.9A ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0033мкГн±0.2нГн 100МГц 23Q-Фактор керамика 0.9A

MHQ1005P3N9CT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0039мкГн±0.2нГн 100МГц 23Q-Фактор керамика 0.9A

Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.0039uH 0.2nH 100MHz 23Q-Factor Ceramic 0.9A ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0039мкГн±0.2нГн 100МГц 23Q-Фактор керамика 0.9A

MHQ1005P3N9CT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0039мкГн±0.2нГн 100МГц 23Q-Фактор керамика 0.9A

Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.0039uH 0.2nH 100MHz 23Q-Factor Ceramic 0.9A ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0039мкГн±0.2нГн 100МГц 23Q-Фактор керамика 0.9A

 

 

Back to Top
Product has been added to your cart