Showing 4513–4536 of 6174 results
MHQ1005P4N7BT, Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 4.7нГн 0.1нГн 100МГц 23Q-Фактор керамика 800мА 110мОм
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 4.7nH 0.1nH 100MHz 23Q-Factor Ceramic 800mA 110m Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 4.7нГн 0.1нГн 100МГц 23Q-Фактор керамика 800мА 110мОм
MHQ1005P4N7BT, Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 4.7нГн 0.1нГн 100МГц 23Q-Фактор керамика 800мА 110мОм
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 4.7nH 0.1nH 100MHz 23Q-Factor Ceramic 800mA 110m Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 4.7нГн 0.1нГн 100МГц 23Q-Фактор керамика 800мА 110мОм
MHQ1005P5N6BT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0056мкГн±0.1нГн 100МГц 23Q-Фактор керамика 0.8A
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.0056uH 0.1nH 100MHz 23Q-Factor Ceramic 0.8A ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0056мкГн±0.1нГн 100МГц 23Q-Фактор керамика 0.8A
MHQ1005P5N6BT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0056мкГн±0.1нГн 100МГц 23Q-Фактор керамика 0.8A
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.0056uH 0.1nH 100MHz 23Q-Factor Ceramic 0.8A ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0056мкГн±0.1нГн 100МГц 23Q-Фактор керамика 0.8A
MHQ1005P6N8JT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0068мкГн ±5% 100МГц 23Q-Фактор керамика 0.7A
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.0068uH 5% 100MHz 23Q-Factor Ceramic 0.7A ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0068мкГн ±5% 100МГц 23Q-Фактор керамика 0.7A
MHQ1005P6N8JT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0068мкГн ±5% 100МГц 23Q-Фактор керамика 0.7A
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.0068uH 5% 100MHz 23Q-Factor Ceramic 0.7A ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0068мкГн ±5% 100МГц 23Q-Фактор керамика 0.7A
MHQ1005P8N2GT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0082мкГн ±2% 100МГц 23Q-Фактор керамика 0.55A 0.16
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.0082uH 2% 100MHz 23Q-Factor Ceramic 0.55A 0.16 ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0082мкГн ±2% 100МГц 23Q-Фактор керамика 0.55A 0.16
MHQ1005P8N2JT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0082мкГн ±5% 100МГц 23Q-Фактор керамика 0.55A
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.0082uH 5% 100MHz 23Q-Factor Ceramic 0.55A ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0082мкГн ±5% 100МГц 23Q-Фактор керамика 0.55A
MHQ1005P8N2JT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0082мкГн ±5% 100МГц 23Q-Фактор керамика 0.55A
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.0082uH 5% 100MHz 23Q-Factor Ceramic 0.55A ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0082мкГн ±5% 100МГц 23Q-Фактор керамика 0.55A
MHQ1005PR10GT, ЧИП-индуктивность 100нГн 2.5Ом 150мА ±2%
Fixed Inductors 100nH 2.5ohms 150mA 2% ЧИП-индуктивность 100нГн 2.5Ом 150мА ±2%
MLF1005G1R5JT, ЧИП-индуктивность многослойная с магнитным экраном серия MLF 0402 1.5 мкГн ±5 % 35 мА
MLF Series 0402 1.5 uH В±5 % Tol. 35 mA Magnetic Shielded Multilayer Inductor ЧИП-индуктивность многослойная с магнитным экраном серия MLF 0402 1.5 мкГн ±5 % 35 мА
MLF1005G2R2JT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 2.2мкГн ±5% 10МГц 30Q-фактор феррит 30мА 1.3Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 5% 10MHz 30Q-Factor Ferrite 30mA 1.3Ohm DCR 0402 T/R ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 2.2мкГн ±5% 10МГц 30Q-фактор феррит 30мА 1.3Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
MLF1005GR82JT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 820нГн ±5% 10МГц 30Q-Фактор феррит 40мА 590мОм 0402 автомобильного применения
Inductor RF Chip Shielded Multi-Layer 820nH 5% 10MHz 30Q-Factor Ferrite 40mA 590mOhm DCR 0402 Automo ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 820нГн ±5% 10МГц 30Q-Фактор феррит 40мА 590мОм 0402 автомобильного применения
MLF1005GR82KT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.82мкГн ±10% 10МГц 30Q-Фактор феррит 0.04A 0.59Ом 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Shielded Multi-Layer 0.82uH 10% 10MHz 30Q-Factor Ferrite 0.04A 0.59Ohm DCR 0402 T/R ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.82мкГн ±10% 10МГц 30Q-Фактор феррит 0.04A 0.59Ом 0402 лента на катушке
MLF1005VR10KT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.1мкГн ±10% 25МГц 10Q-Фактор феррит 0.18A 0.51Ом 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Shielded Multi-Layer 0.1uH 10% 25MHz 10Q-Factor Ferrite 0.18A 0.51Ohm DCR 0402 T/R ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.1мкГн ±10% 25МГц 10Q-Фактор феррит 0.18A 0.51Ом 0402 лента на катушке
MLF1005VR22JT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.22мкГн ±5% 25МГц 15Q-Фактор феррит 0.16A 0.79Ом 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Shielded Multi-Layer 0.22uH 5% 25MHz 15Q-Factor Ferrite 0.16A 0.79Ohm DCR 0402 T/R ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.22мкГн ±5% 25МГц 15Q-Фактор феррит 0.16A 0.79Ом 0402 лента на катушке
MLF1005VR33JT, ЧИП-индуктивность общего применения многослойная экранированная 0.33мкГн ±5% 25МГц 15Q-фактор феррит 0.14A 1.05Ом по постоянному току
Inductor General Purpose Shielded Multi-Layer 0.33uH 5% 25MHz 15Q-Factor Ferrite 0.14A 1.05Ohm DCR 0 ЧИП-индуктивность общего применения многослойная экранированная 0.33мкГн ±5% 25МГц 15Q-фактор феррит 0.14A 1.05Ом по постоянному току
MLF1005VR56JT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.56мкГн ±5% 25МГц 15Q-Фактор феррит 0.12A 1.95Ом 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Shielded Multi-Layer 0.56uH 5% 25MHz 15Q-Factor Ferrite 0.12A 1.95Ohm DCR 0402 T/R ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.56мкГн ±5% 25МГц 15Q-Фактор феррит 0.12A 1.95Ом 0402 лента на катушке
MLF1608A1R0JT, ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 1мкГн ±5% 10МГц 35Q-фактор феррит 0.05A 0.5Ом по постоянному току 0603 лента на катушке
Inductor Power Shielded Multi-Layer 1uH 5% 10MHz 35Q-Factor Ferrite 0.05A 0.5Ohm DCR 0603 T/R ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 1мкГн ±5% 10МГц 35Q-фактор феррит 0.05A 0.5Ом по постоянному току 0603 лента на катушке
MLF1608A1R5MT, ЧИП-индуктивность 1.5 мкГн ±10%
Fixed Inductors 1.5 UH 10% ЧИП-индуктивность 1.5 мкГн ±10%
MLF1608A2R7JT000, ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 2.7мкГн ±5% 10МГц 35Q-фактор феррит 0.03A 1.15Ом по постоянному току 0603 лента на катушке
Inductor Power Shielded Multi-Layer 2.7uH 5% 10MHz 35Q-Factor Ferrite 0.03A 1.15Ohm DCR 0603 T/R ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 2.7мкГн ±5% 10МГц 35Q-фактор феррит 0.03A 1.15Ом по постоянному току 0603 лента на катушке
MLF1608A3R3KT, ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 3.3мкГн ±10% 10МГц 35Q-Фактор феррит 0.03A 1.3Ом 0603 лента на катушке
Inductor Power Shielded Multi-Layer 3.3uH 10% 10MHz 35Q-Factor Ferrite 0.03A 1.3Ohm DCR 0603 T/R ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 3.3мкГн ±10% 10МГц 35Q-Фактор феррит 0.03A 1.3Ом 0603 лента на катушке
MLF1608A3R3KTA00, Индуктивность и дроссель SMD-исполнения
Inductor Power Shielded Multi-Layer 3.3uH 10% 10MHz 35Q-Factor Ferrite 0.03A 1.3Ohm DCR 0603 T/R
MLF1608C150KT, ЧИП-индуктивность 15мкГн 2мА 1.5Ом
FIXED IND 15UH 2MA 1.5 OHM SMD ЧИП-индуктивность 15мкГн 2мА 1.5Ом