Showing 4609–4632 of 6174 results
MLF2012DR12JT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.12мкГн ±5% 25МГц 20Q-Фактор феррит 0.3A 0.2Ом 0805 лента на катушке
Inductor RF Chip Shielded Multi-Layer 0.12uH 5% 25MHz 20Q-Factor Ferrite 0.3A 0.2Ohm DCR 0805 T/R ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.12мкГн ±5% 25МГц 20Q-Фактор феррит 0.3A 0.2Ом 0805 лента на катушке
MLF2012DR12KT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.12мкГн ±10% 25МГц 20Q-Фактор феррит 0.3A 0.2Ом 0805 лента на катушке
Inductor RF Chip Shielded Multi-Layer 0.12uH 10% 25MHz 20Q-Factor Ferrite 0.3A 0.2Ohm DCR 0805 T/R ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.12мкГн ±10% 25МГц 20Q-Фактор феррит 0.3A 0.2Ом 0805 лента на катушке
MLF2012DR12KT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.12мкГн ±10% 25МГц 20Q-Фактор феррит 0.3A 0.2Ом 0805 лента на катушке
Inductor RF Chip Shielded Multi-Layer 0.12uH 10% 25MHz 20Q-Factor Ferrite 0.3A 0.2Ohm DCR 0805 T/R ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.12мкГн ±10% 25МГц 20Q-Фактор феррит 0.3A 0.2Ом 0805 лента на катушке
MLF2012DR15JT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.15мкГн ±5% 25МГц 20Q-Фактор феррит 0.3A 0.2Ом 0805 лента на катушке
Inductor RF Chip Shielded Multi-Layer 0.15uH 5% 25MHz 20Q-Factor Ferrite 0.3A 0.2Ohm DCR 0805 T/R ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.15мкГн ±5% 25МГц 20Q-Фактор феррит 0.3A 0.2Ом 0805 лента на катушке
MLF2012DR15JT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.15мкГн ±5% 25МГц 20Q-Фактор феррит 0.3A 0.2Ом 0805 лента на катушке
Inductor RF Chip Shielded Multi-Layer 0.15uH 5% 25MHz 20Q-Factor Ferrite 0.3A 0.2Ohm DCR 0805 T/R ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.15мкГн ±5% 25МГц 20Q-Фактор феррит 0.3A 0.2Ом 0805 лента на катушке
MLF2012DR15KT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 150нГн ±10% 25МГц 20Q-Фактор феррит 300мА 200мОм 0805 автомобильного применения
Inductor RF Chip Shielded Multi-Layer 150nH 10% 25MHz 20Q-Factor Ferrite 300mA 200mOhm DCR 0805 Auto ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 150нГн ±10% 25МГц 20Q-Фактор феррит 300мА 200мОм 0805 автомобильного применения
MLF2012DR15KT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 150нГн ±10% 25МГц 20Q-Фактор феррит 300мА 200мОм 0805 автомобильного применения
Inductor RF Chip Shielded Multi-Layer 150nH 10% 25MHz 20Q-Factor Ferrite 300mA 200mOhm DCR 0805 Auto ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 150нГн ±10% 25МГц 20Q-Фактор феррит 300мА 200мОм 0805 автомобильного применения
MLF2012DR22JT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.22мкГн ±5% 25МГц 20Q-Фактор феррит 0.25A 0.3Ом 0805 лента на катушке
Inductor RF Chip Shielded Multi-Layer 0.22uH 5% 25MHz 20Q-Factor Ferrite 0.25A 0.3Ohm DCR 0805 T/R ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.22мкГн ±5% 25МГц 20Q-Фактор феррит 0.25A 0.3Ом 0805 лента на катушке
MLF2012DR22JT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.22мкГн ±5% 25МГц 20Q-Фактор феррит 0.25A 0.3Ом 0805 лента на катушке
Inductor RF Chip Shielded Multi-Layer 0.22uH 5% 25MHz 20Q-Factor Ferrite 0.25A 0.3Ohm DCR 0805 T/R ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.22мкГн ±5% 25МГц 20Q-Фактор феррит 0.25A 0.3Ом 0805 лента на катушке
MLF2012DR22KT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 220нГн ±10% 25МГц 20Q-Фактор феррит 250мА 300мОм 0805 лента на катушке
Inductor RF Chip Shielded Multi-Layer 220nH 10% 25MHz 20Q-Factor Ferrite 250mA 300mOhm DCR 0805 T/R ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 220нГн ±10% 25МГц 20Q-Фактор феррит 250мА 300мОм 0805 лента на катушке
MLF2012DR22KT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 220нГн ±10% 25МГц 20Q-Фактор феррит 250мА 300мОм 0805 лента на катушке
Inductor RF Chip Shielded Multi-Layer 220nH 10% 25MHz 20Q-Factor Ferrite 250mA 300mOhm DCR 0805 T/R ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 220нГн ±10% 25МГц 20Q-Фактор феррит 250мА 300мОм 0805 лента на катушке
MLF2012DR27JT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.27мкГн ±5% 25МГц 20Q-Фактор феррит 0.25A 0.35Ом 0805 лента на катушке
Inductor RF Chip Shielded Multi-Layer 0.27uH 5% 25MHz 20Q-Factor Ferrite 0.25A 0.35Ohm DCR 0805 T/R ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.27мкГн ±5% 25МГц 20Q-Фактор феррит 0.25A 0.35Ом 0805 лента на катушке
MLF2012DR27JT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.27мкГн ±5% 25МГц 20Q-Фактор феррит 0.25A 0.35Ом 0805 лента на катушке
Inductor RF Chip Shielded Multi-Layer 0.27uH 5% 25MHz 20Q-Factor Ferrite 0.25A 0.35Ohm DCR 0805 T/R ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.27мкГн ±5% 25МГц 20Q-Фактор феррит 0.25A 0.35Ом 0805 лента на катушке
MLF2012DR27KT, Индуктивность SMD высокочастотная экранированная многослойная 270нГн ±10% 25МГц 20Q-Фактор феррит 250мА 350мОм по постоянному току 0805 лента на катушке
Inductor RF Chip Shielded Multi-Layer 270nH 10% 25MHz 20Q-Factor Ferrite 250mA 350mOhm DCR 0805 T/R Индуктивность SMD высокочастотная экранированная многослойная 270нГн ±10% 25МГц 20Q-Фактор феррит 250мА 350мОм по постоянному току 0805 лента на катушке
MLF2012DR27KT, Индуктивность SMD высокочастотная экранированная многослойная 270нГн ±10% 25МГц 20Q-Фактор феррит 250мА 350мОм по постоянному току 0805 лента на катушке
Inductor RF Chip Shielded Multi-Layer 270nH 10% 25MHz 20Q-Factor Ferrite 250mA 350mOhm DCR 0805 T/R Индуктивность SMD высокочастотная экранированная многослойная 270нГн ±10% 25МГц 20Q-Фактор феррит 250мА 350мОм по постоянному току 0805 лента на катушке
MLF2012DR33JT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.33мкГн ±5% 25МГц 20Q-Фактор феррит 0.25A 0.4Ом 0805 лента на катушке
Inductor RF Chip Shielded Multi-Layer 0.33uH 5% 25MHz 20Q-Factor Ferrite 0.25A 0.4Ohm DCR 0805 T/R ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.33мкГн ±5% 25МГц 20Q-Фактор феррит 0.25A 0.4Ом 0805 лента на катушке
MLF2012DR33JT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.33мкГн ±5% 25МГц 20Q-Фактор феррит 0.25A 0.4Ом 0805 лента на катушке
Inductor RF Chip Shielded Multi-Layer 0.33uH 5% 25MHz 20Q-Factor Ferrite 0.25A 0.4Ohm DCR 0805 T/R ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.33мкГн ±5% 25МГц 20Q-Фактор феррит 0.25A 0.4Ом 0805 лента на катушке
MLF2012DR33KT, ЧИП-индуктивность многослойная с магнитным экраном серия MLF 0805 0.33 мкГн ±10 % 250 мА
MLF Series 0805 0.33 uH В±10 % Tol. 250 mA Magnetic Shielded Multilayer Inductor ЧИП-индуктивность многослойная с магнитным экраном серия MLF 0805 0.33 мкГн ±10 % 250 мА
MLF2012DR33KT, ЧИП-индуктивность многослойная с магнитным экраном серия MLF 0805 0.33 мкГн ±10 % 250 мА
MLF Series 0805 0.33 uH В±10 % Tol. 250 mA Magnetic Shielded Multilayer Inductor ЧИП-индуктивность многослойная с магнитным экраном серия MLF 0805 0.33 мкГн ±10 % 250 мА
MLF2012DR39JT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.39мкГн ±5% 25МГц 25Q-Фактор феррит 0.2A 0.45Ом 0805 лента на катушке
Inductor RF Chip Shielded Multi-Layer 0.39uH 5% 25MHz 25Q-Factor Ferrite 0.2A 0.45Ohm DCR 0805 T/R ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.39мкГн ±5% 25МГц 25Q-Фактор феррит 0.2A 0.45Ом 0805 лента на катушке