Showing 4681–4704 of 6174 results
MLG1005S0N6BT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0006мкГн±0.1нГн 100МГц керамика 1A 0.1Ом 0402
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.0006uH 0.1nH 100MHz Ceramic 1A 0.1Ohm DCR 0402 ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0006мкГн±0.1нГн 100МГц керамика 1A 0.1Ом 0402
MLG1005S10NJT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.01мкГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 0.5A 0.35Ом
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.01uH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.5A 0.35Ohm ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.01мкГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 0.5A 0.35Ом
MLG1005S12NJT, Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 12нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 400мА 400мОм по постоянному току
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 12nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 400mA 400mOhm D Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 12нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 400мА 400мОм по постоянному току
MLG1005S12NJT, Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 12нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 400мА 400мОм по постоянному току
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 12nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 400mA 400mOhm D Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 12нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 400мА 400мОм по постоянному току
MLG1005S15NJT, Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 15нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 400мА 550мОм по постоянному току
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 15nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 400mA 550mOhm D Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 15нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 400мА 550мОм по постоянному току
MLG1005S15NJT, Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 15нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 400мА 550мОм по постоянному току
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 15nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 400mA 550mOhm D Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 15нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 400мА 550мОм по постоянному току
MLG1005S18NJT, Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 18нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 350мА 600мОм по постоянному току
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 18nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 350mA 600mOhm D Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 18нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 350мА 600мОм по постоянному току
MLG1005S18NJT, Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 18нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 350мА 600мОм по постоянному току
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 18nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 350mA 600mOhm D Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 18нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 350мА 600мОм по постоянному току
MLG1005S1N0BT, ЧИП-индуктивность серия MLG 1нГн 1000мА ±0.1нГн
MLG1005S 1nH 1000mA В±0.1nH MLT ЧИП-индуктивность серия MLG 1нГн 1000мА ±0.1нГн
MLG1005S1N3BT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0013мкГн±0.1нГн 100МГц 7Q-Фактор керамика 1A 0.1Ом
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.0013uH 0.1nH 100MHz 7Q-Factor Ceramic 1A 0.1Oh ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0013мкГн±0.1нГн 100МГц 7Q-Фактор керамика 1A 0.1Ом
MLG1005S1N6ST, ЧИП-индуктивность ысокочастотная многослойная неэкранированная 1.6нГн 0.3нГн 100МГц 7Q-фактор керамика 1A 120мОм
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 1.6nH 0.3nH 100MHz 7Q-Factor Ceramic 1A 120mOhm ЧИП-индуктивность ысокочастотная многослойная неэкранированная 1.6нГн 0.3нГн 100МГц 7Q-фактор керамика 1A 120мОм
MLG1005S20NJT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.02мкГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 0.35A 0.6Ом
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.02uH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.35A 0.6Ohm ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.02мкГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 0.35A 0.6Ом
MLG1005S22NJT, Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 22нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 350мА 700мОм по постоянному току
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 22nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 350mA 700mOhm D Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 22нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 350мА 700мОм по постоянному току
MLG1005S22NJT, Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 22нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 350мА 700мОм по постоянному току
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 22nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 350mA 700mOhm D Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 22нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 350мА 700мОм по постоянному току
MLG1005S27NJT, Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 27нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 300мА 800мОм по постоянному току
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 27nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 300mA 800mOhm D Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 27нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 300мА 800мОм по постоянному току
MLG1005S27NJT, Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 27нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 300мА 800мОм по постоянному току
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 27nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 300mA 800mOhm D Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 27нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 300мА 800мОм по постоянному току
MLG1005S27NJT000, Индуктивность и дроссель SMD-исполнения
MLG Series 0402 27 nH В±5 % Tolerance 300 mA Surface Mount Multilayer Inductor
MLG1005S2N0BT, ЧИП-индуктивность ысокочастотная многослойная неэкранированная 0.002мкГн 0.1нГн 100МГц 7Q-фактор керамика 0.9A
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.002uH 0.1nH 100MHz 7Q-Factor Ceramic 0.9A 0.15 ЧИП-индуктивность ысокочастотная многослойная неэкранированная 0.002мкГн 0.1нГн 100МГц 7Q-фактор керамика 0.9A
MLG1005S2N0CT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.002мкГн±0.2нГн 100МГц 7Q-Фактор керамика 0.9A 0.15
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.002uH 0.2nH 100MHz 7Q-Factor Ceramic 0.9A 0.15 ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.002мкГн±0.2нГн 100МГц 7Q-Фактор керамика 0.9A 0.15
MLG1005S2N4BT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0024мкГн±0.1нГн 100МГц 7Q-Фактор керамика 0.8A 0.1
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.0024uH 0.1nH 100MHz 7Q-Factor Ceramic 0.8A 0.1 ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0024мкГн±0.1нГн 100МГц 7Q-Фактор керамика 0.8A 0.1
MLG1005S2N4BTD25, ЧИП-индуктивность ысокочастотная многослойная неэкранированная 0.0024мкГн 0.1нГн 100МГц 7Q-фактор керамика 0.8A автомобильного применения лента на катушке
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.0024uH 0.1nH 100MHz 7Q-Factor Ceramic 0.8A Automotive T/R ЧИП-индуктивность ысокочастотная многослойная неэкранированная 0.0024мкГн 0.1нГн 100МГц 7Q-фактор керамика 0.8A автомобильного применения лента на катушке
MLG1005S33NJT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.033мкГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 0.3A 0.9Ом
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.033uH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.3A 0.9Ohm ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.033мкГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 0.3A 0.9Ом