Showing 4705–4728 of 6174 results
MLG1005S33NJT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.033мкГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 0.3A 0.9Ом
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.033uH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.3A 0.9Ohm ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.033мкГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 0.3A 0.9Ом
MLG1005S3N6BT000, ЧИП-индуктивность высокочастотная 0402 3.6нГн
Fixed Inductors IND 0402 3.6nH StdQ AEC Q200 RF IND ЧИП-индуктивность высокочастотная 0402 3.6нГн
MLG1005S3N9BT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0039мкГн±0.1нГн 100МГц 8Q-Фактор керамика 0.7A 0.2
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.0039uH 0.1nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.7A 0.2 ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0039мкГн±0.1нГн 100МГц 8Q-Фактор керамика 0.7A 0.2
MLG1005S3N9BT000, Индуктивность и дроссель SMD-исполнения
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.0039uH 0.1nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.7A 0.2
MLG1005S47NJT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 47нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 250мА 1.2Ом
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 47nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 250mA 1.2Ohm DC ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 47нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 250мА 1.2Ом
MLG1005S4N3ST, Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 4.3нГн 0.3нГн 100МГц 8Q-Фактор керамика 700мА 200мОм
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 4.3nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 700mA 200mO Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 4.3нГн 0.3нГн 100МГц 8Q-Фактор керамика 700мА 200мОм
MLG1005S4N3ST, Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 4.3нГн 0.3нГн 100МГц 8Q-Фактор керамика 700мА 200мОм
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 4.3nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 700mA 200mO Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 4.3нГн 0.3нГн 100МГц 8Q-Фактор керамика 700мА 200мОм
MLG1005S4N7ST, ЧИП-индуктивность ысокочастотная многослойная неэкранированная 4.7нГн 0.3нГн 100МГц 8Q-фактор керамика 700мА 250мОм
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 4.7nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 700mA 250mO ЧИП-индуктивность ысокочастотная многослойная неэкранированная 4.7нГн 0.3нГн 100МГц 8Q-фактор керамика 700мА 250мОм
MLG1005S51NJT, ЧИП-индуктивность силовая неэкранированная серия MLG1005S 0402 51 нГн 250 мА 1.2Ом по постоянному току
MLG1005S Series 0402 51 nH 250 mA 1.2 Ohm DCR Unshielded SMT Power Inductor ЧИП-индуктивность силовая неэкранированная серия MLG1005S 0402 51 нГн 250 мА 1.2Ом по постоянному току
MLG1005S51NJTD25, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 51нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 250мА 1.2Ом
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 51nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 250mA 1.2Ohm DC ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 51нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 250мА 1.2Ом
MLG1005S5N6ST, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0056мкГн±0.3нГн 100МГц 8Q-Фактор керамика 0.6A 0.2
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.0056uH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.6A 0.2 ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0056мкГн±0.3нГн 100МГц 8Q-Фактор керамика 0.6A 0.2
MLG1005S68NHT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.068мкГн 3% 100МГц 8Q-Фактор керамика 0.2A 1.5Ом
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.068uH 3% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.2A 1.5Ohm ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.068мкГн 3% 100МГц 8Q-Фактор керамика 0.2A 1.5Ом
MLG1005S68NJT, Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 68нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 200мА 1.5Ом
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 68nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 200mA 1.5Ohm DC Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 68нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 200мА 1.5Ом
MLG1005S68NJT, Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 68нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 200мА 1.5Ом
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 68nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 200mA 1.5Ohm DC Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 68нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 200мА 1.5Ом
MLG1005S6N2ST, Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 6.2нГн 0.3нГн 100МГц 8Q-Фактор керамика 600мА 250мОм
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 6.2nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 600mA 250mO Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 6.2нГн 0.3нГн 100МГц 8Q-Фактор керамика 600мА 250мОм
MLG1005S6N2ST, Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 6.2нГн 0.3нГн 100МГц 8Q-Фактор керамика 600мА 250мОм
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 6.2nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 600mA 250mO Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 6.2нГн 0.3нГн 100МГц 8Q-Фактор керамика 600мА 250мОм
MLG1005S6N8HT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0068мкГн 3% 100МГц 8Q-Фактор керамика 0.6A 0.25Ом
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.0068uH 3% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.6A 0.25Ohm ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0068мкГн 3% 100МГц 8Q-Фактор керамика 0.6A 0.25Ом
MLG1005S6N8JT, Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 6.8нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 600мА 250мОм
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 6.8nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 600mA 250mOhm Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 6.8нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 600мА 250мОм
MLG1005S6N8JT, Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 6.8нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 600мА 250мОм
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 6.8nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 600mA 250mOhm Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 6.8нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 600мА 250мОм
MLG1005S7N5JT, Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 7.5нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 500мА 250мОм
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 7.5nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 500mA 250mOhm Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 7.5нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 500мА 250мОм
MLG1005S7N5JT, Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 7.5нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 500мА 250мОм
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 7.5nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 500mA 250mOhm Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 7.5нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 500мА 250мОм
MLG1005S82NHTD25, ЧИП-индуктивность ысокочастотная многослойная неэкранированная 0.082мкГн ±3% 100МГц 8Q-фактор керамика 0.2A 1.6Ом
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.082uH 3% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.2A 1.6Ohm ЧИП-индуктивность ысокочастотная многослойная неэкранированная 0.082мкГн ±3% 100МГц 8Q-фактор керамика 0.2A 1.6Ом
MLG1005S9N1JT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0091мкГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 0.5A 0.3Ом
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.0091uH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.5A 0.3Ohm ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0091мкГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 0.5A 0.3Ом