Showing 4753–4776 of 6174 results
MLK1005S1N8ST, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 1.8нГн 0.3нГн 100МГц 6Q-фактор керамика 500мА 170мОм по постоянному току 0402
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 1.8nH 0.3nH 100MHz 6Q-Factor Ceramic 500mA 170mOhm DCR 0402 ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 1.8нГн 0.3нГн 100МГц 6Q-фактор керамика 500мА 170мОм по постоянному току 0402
MLK1005S27NJT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.027мкГн ±5% 100МГц 7Q-фактор керамика 0.2A 0.8Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 0.027uH 5% 100MHz 7Q-Factor Ceramic 0.2A 0.8Ohm DCR 0402 T/R ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.027мкГн ±5% 100МГц 7Q-фактор керамика 0.2A 0.8Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
MLK1005S2N0ST, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.002мкГн 0.3нГн 100МГц 6Q-фактор керамика 0.5A 0.18Ом по постоянному току 0402
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 0.002uH 0.3nH 100MHz 6Q-Factor Ceramic 0.5A 0.18Ohm DCR 0402 ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.002мкГн 0.3нГн 100МГц 6Q-фактор керамика 0.5A 0.18Ом по постоянному току 0402
MLK1005S2N2ST, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0022мкГн±0.3нГн 100МГц 6Q-Фактор керамика 0.5A 0.18Ом
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 0.0022uH 0.3nH 100MHz 6Q-Factor Ceramic 0.5A 0.18Ohm DCR ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0022мкГн±0.3нГн 100МГц 6Q-Фактор керамика 0.5A 0.18Ом
MLK1005S2N7ST, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0027мкГн±0.3нГн 100МГц 6Q-Фактор керамика 0.5A 0.2Ом 0402
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 0.0027uH 0.3nH 100MHz 6Q-Factor Ceramic 0.5A 0.2Ohm DCR 0402 ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0027мкГн±0.3нГн 100МГц 6Q-Фактор керамика 0.5A 0.2Ом 0402
MLK1005S3N3ST, ЧИП-индуктивность 3.3нГн, 7ГГц, 0402
INDUCTOR, 3.3NH, 7GHZ, 0402 ЧИП-индуктивность 3.3нГн, 7ГГц, 0402
MLK1005S56NJT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.056мкГн ±5% 100МГц 6Q-фактор керамика 0.2A 1.3Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 0.056uH 5% 100MHz 6Q-Factor Ceramic 0.2A 1.3Ohm DCR 0402 T/R ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.056мкГн ±5% 100МГц 6Q-фактор керамика 0.2A 1.3Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
MLK1005S56NJTD25, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.056мкГн ±5% 100МГц 6Q-фактор керамика 0.2A 1.3Ом по постоянному току 0402 автомобильного применения
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 0.056uH 5% 100MHz 6Q-Factor Ceramic 0.2A 1.3Ohm DCR 0402 Aut ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.056мкГн ±5% 100МГц 6Q-фактор керамика 0.2A 1.3Ом по постоянному току 0402 автомобильного применения
MLK1005S6N8JT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0068мкГн ±5% 100МГц 7Q-Фактор керамика 0.4A 0.35Ом 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 0.0068uH 5% 100MHz 7Q-Factor Ceramic 0.4A 0.35Ohm DCR 0402 T/R ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0068мкГн ±5% 100МГц 7Q-Фактор керамика 0.4A 0.35Ом 0402 лента на катушке
MLK1005S82NJT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.082мкГн ±5% 100МГц 6Q-фактор керамика 0.15A 1.8Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 0.082uH 5% 100MHz 6Q-Factor Ceramic 0.15A 1.8Ohm DCR 0402 T/ ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.082мкГн ±5% 100МГц 6Q-фактор керамика 0.15A 1.8Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
MLK1005SR10JT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 100нГн ±5% 100МГц 6Q-Фактор керамика 100мА 2.2Ом 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 100nH 5% 100MHz 6Q-Factor Ceramic 100mA 2.2Ohm DCR 0402 T/R ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 100нГн ±5% 100МГц 6Q-Фактор керамика 100мА 2.2Ом 0402 лента на катушке
MLP1608V1R0BT0S1, ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 1мкГн ±20% 2МГц феррит 0.7A 0.39Ом 0603 лента на катушке
Inductor Power Shielded Multi-Layer 1uH 20% 2MHz Ferrite 0.7A 0.39Ohm DCR 0603 T/R ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 1мкГн ±20% 2МГц феррит 0.7A 0.39Ом 0603 лента на катушке
MLP1608V2R2BT, Индуктивность и дроссель SMD-исполнения
Inductor Power Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 2MHz Ferrite 0.6A 0.468Ohm DCR 0603 T/R
MLP1608V2R2BT0S1, ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 2.2мкГн ±20% 2МГц феррит 0.6A 0.468Ом 0603 лента на катушке
Inductor Power Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 2MHz Ferrite 0.6A 0.468Ohm DCR 0603 T/R ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 2.2мкГн ±20% 2МГц феррит 0.6A 0.468Ом 0603 лента на катушке
MLP2012S1R0MT0S1, ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 1мкГн ±20% 2МГц феррит 1A 0.208Ом 0805 лента на катушке
Inductor Power Shielded Multi-Layer 1uH 20% 2MHz Ferrite 1A 0.208Ohm DCR 0805 T/R ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 1мкГн ±20% 2МГц феррит 1A 0.208Ом 0805 лента на катушке
MLP2012S2R2MT0S1, ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 2.2мкГн ±20% 2МГц феррит 800мА 299мОм 0805
Inductor Power Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 2MHz Ferrite 800mA 299mOhm DCR 0805 ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 2.2мкГн ±20% 2МГц феррит 800мА 299мОм 0805
MLP2012S4R7MT0S1, ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 4.7мкГн ±20% 2МГц феррит 0.7A 0.338Ом 0805 лента на катушке
Inductor Power Shielded Multi-Layer 4.7uH 20% 2MHz Ferrite 0.7A 0.338Ohm DCR 0805 T/R ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 4.7мкГн ±20% 2МГц феррит 0.7A 0.338Ом 0805 лента на катушке
MLP2012V1R0TT, Индуктивность и дроссель SMD-исполнения
Inductor Power Shielded Multi-Layer 1uH 20% 2MHz Ferrite 0.7A 0.338Ohm DCR 0805 T/R
MLP2012V1R0TT0S1, ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 1мкГн ±20% 2МГц феррит 0.7A 0.338Ом 0805 лента на катушке
Inductor Power Shielded Multi-Layer 1uH 20% 2MHz Ferrite 0.7A 0.338Ohm DCR 0805 T/R ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 1мкГн ±20% 2МГц феррит 0.7A 0.338Ом 0805 лента на катушке
MLP2016S1R0MT0S1, ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 1мкГн ±20% 2МГц феррит 1.4A 117мОм 0806 лента на катушке
Inductor Power Shielded Multi-Layer 1uH 20% 2MHz Ferrite 1.4A 117mOhm DCR 0806 T/R ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 1мкГн ±20% 2МГц феррит 1.4A 117мОм 0806 лента на катушке
MLP2016S2R2MT0S1, Индуктивность и дроссель SMD-исполнения
Inductor Power Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 2MHz Ferrite 1.2A 0.143Ohm DCR 0806 T/R
MLP2016S2R2MT0S1, ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 2.2мкГн ±20% 2МГц феррит 1.2A 0.143Ом 0806 лента на катушке
Inductor Power Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 2MHz Ferrite 1.2A 0.143Ohm DCR 0806 T/R ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 2.2мкГн ±20% 2МГц феррит 1.2A 0.143Ом 0806 лента на катушке
MLP2016SR47MT0S1, ЧИП-индуктивность многослойная с магнитным экраном серия MLP 0806 0.47 мкГн ±20 % 1.6 A
MLP Series 0806 0.47 uH В±20 % Tol. 1.6 A Magnetic Shielded Multilayer Inductor ЧИП-индуктивность многослойная с магнитным экраном серия MLP 0806 0.47 мкГн ±20 % 1.6 A