Showing 4993–5016 of 6174 results
NLCV32T-3R3M-EF, ЧИП-индуктивность силовая проволочная неэкранированная 3.3мкГн ±20% 7.96МГц 10Q-Фактор феррит 690мА 208мОм 1210 лента на катушке
Inductor Power Unshielded Wirewound 3.3uH 20% 7.96MHz 10Q-Factor Ferrite 690mA 208mOhm DCR 1210 T/R ЧИП-индуктивность силовая проволочная неэкранированная 3.3мкГн ±20% 7.96МГц 10Q-Фактор феррит 690мА 208мОм 1210 лента на катушке
NLCV32T-3R3M-EF, ЧИП-индуктивность силовая проволочная неэкранированная 3.3мкГн ±20% 7.96МГц 10Q-Фактор феррит 690мА 208мОм 1210 лента на катушке
Inductor Power Unshielded Wirewound 3.3uH 20% 7.96MHz 10Q-Factor Ferrite 690mA 208mOhm DCR 1210 T/R ЧИП-индуктивность силовая проволочная неэкранированная 3.3мкГн ±20% 7.96МГц 10Q-Фактор феррит 690мА 208мОм 1210 лента на катушке
NLCV32T-470K-EF, ЧИП-индуктивность силовая проволочная неэкранированная 47мкГн ±10% 2.52МГц 15Q-Фактор феррит 180мА 2.132Ом 1210 лента на катушке
Inductor Power Unshielded Wirewound 47uH 10% 2.52MHz 15Q-Factor Ferrite 180mA 2.132Ohm DCR 1210 T/R ЧИП-индуктивность силовая проволочная неэкранированная 47мкГн ±10% 2.52МГц 15Q-Фактор феррит 180мА 2.132Ом 1210 лента на катушке
NLCV32T-470K-EF, ЧИП-индуктивность силовая проволочная неэкранированная 47мкГн ±10% 2.52МГц 15Q-Фактор феррит 180мА 2.132Ом 1210 лента на катушке
Inductor Power Unshielded Wirewound 47uH 10% 2.52MHz 15Q-Factor Ferrite 180mA 2.132Ohm DCR 1210 T/R ЧИП-индуктивность силовая проволочная неэкранированная 47мкГн ±10% 2.52МГц 15Q-Фактор феррит 180мА 2.132Ом 1210 лента на катушке
NLCV32T-470K-PF, ЧИП-индуктивность силовая формованная неэкранированная 47мкГн ±10% 2.52МГц 15Q-фактор феррит 0.18A 2.132Ом по постоянному току
Inductor Power Molded/Unshielded Wirewound 47uH 10% 2.52MHz 15Q-Factor Ferrite 0.18A 2.132Ohm DCR 12 ЧИП-индуктивность силовая формованная неэкранированная 47мкГн ±10% 2.52МГц 15Q-фактор феррит 0.18A 2.132Ом по постоянному току
NLCV32T-470K-PF, ЧИП-индуктивность силовая формованная неэкранированная 47мкГн ±10% 2.52МГц 15Q-фактор феррит 0.18A 2.132Ом по постоянному току
Inductor Power Molded/Unshielded Wirewound 47uH 10% 2.52MHz 15Q-Factor Ferrite 0.18A 2.132Ohm DCR 12 ЧИП-индуктивность силовая формованная неэкранированная 47мкГн ±10% 2.52МГц 15Q-фактор феррит 0.18A 2.132Ом по постоянному току
NLCV32T-470K-PF, ЧИП-индуктивность силовая формованная неэкранированная 47мкГн ±10% 2.52МГц 15Q-фактор феррит 0.18A 2.132Ом по постоянному току
Inductor Power Molded/Unshielded Wirewound 47uH 10% 2.52MHz 15Q-Factor Ferrite 0.18A 2.132Ohm DCR 12 ЧИП-индуктивность силовая формованная неэкранированная 47мкГн ±10% 2.52МГц 15Q-фактор феррит 0.18A 2.132Ом по постоянному току
NLCV32T-4R7M-EF, ЧИП-индуктивность силовая проволочная неэкранированная 4.7мкГн ±20% 7.96МГц 15Q-Фактор феррит 620мА 260мОм 1210 лента на катушке
Inductor Power Unshielded Wirewound 4.7uH 20% 7.96MHz 15Q-Factor Ferrite 620mA 260mOhm DCR 1210 T/R ЧИП-индуктивность силовая проволочная неэкранированная 4.7мкГн ±20% 7.96МГц 15Q-Фактор феррит 620мА 260мОм 1210 лента на катушке
NLCV32T-4R7M-EF, ЧИП-индуктивность силовая проволочная неэкранированная 4.7мкГн ±20% 7.96МГц 15Q-Фактор феррит 620мА 260мОм 1210 лента на катушке
Inductor Power Unshielded Wirewound 4.7uH 20% 7.96MHz 15Q-Factor Ferrite 620mA 260mOhm DCR 1210 T/R ЧИП-индуктивность силовая проволочная неэкранированная 4.7мкГн ±20% 7.96МГц 15Q-Фактор феррит 620мА 260мОм 1210 лента на катушке
NLCV32T-4R7M-PF, ЧИП-индуктивность развязки 1210 4.7мкГн, 620мА, по постоянному току 200мОм
SMD Decoupling inductor 1210 L=4.7uH, I=620mA, Rdc=200mOhm ЧИП-индуктивность развязки 1210 4.7мкГн, 620мА, по постоянному току 200мОм
NLCV32T-4R7M-PF, ЧИП-индуктивность развязки 1210 4.7мкГн, 620мА, по постоянному току 200мОм
SMD Decoupling inductor 1210 L=4.7uH, I=620mA, Rdc=200mOhm ЧИП-индуктивность развязки 1210 4.7мкГн, 620мА, по постоянному току 200мОм
NLCV32T-4R7M-PF, ЧИП-индуктивность развязки 1210 4.7мкГн, 620мА, по постоянному току 200мОм
SMD Decoupling inductor 1210 L=4.7uH, I=620mA, Rdc=200mOhm ЧИП-индуктивность развязки 1210 4.7мкГн, 620мА, по постоянному току 200мОм
NLCV32T-680K-EF, ЧИП-индуктивность силовая проволочная неэкранированная 68мкГн ±10% 2.52МГц 15Q-Фактор феррит 140мА 3.64Ом 1210 лента на катушке
Inductor Power Unshielded Wirewound 68uH 10% 2.52MHz 15Q-Factor Ferrite 140mA 3.64Ohm DCR 1210 T/R ЧИП-индуктивность силовая проволочная неэкранированная 68мкГн ±10% 2.52МГц 15Q-Фактор феррит 140мА 3.64Ом 1210 лента на катушке
NLCV32T-680K-EF, ЧИП-индуктивность силовая проволочная неэкранированная 68мкГн ±10% 2.52МГц 15Q-Фактор феррит 140мА 3.64Ом 1210 лента на катушке
Inductor Power Unshielded Wirewound 68uH 10% 2.52MHz 15Q-Factor Ferrite 140mA 3.64Ohm DCR 1210 T/R ЧИП-индуктивность силовая проволочная неэкранированная 68мкГн ±10% 2.52МГц 15Q-Фактор феррит 140мА 3.64Ом 1210 лента на катушке
NLCV32T-680K-PF, ЧИП-индуктивность развязки 1210 68мкГн, 140мА, по постоянному току 2800мОм
SMD Decoupling inductor 1210 L=68uH, I=140mA, Rdc=2800mOhm ЧИП-индуктивность развязки 1210 68мкГн, 140мА, по постоянному току 2800мОм
NLCV32T-680K-PF, ЧИП-индуктивность развязки 1210 68мкГн, 140мА, по постоянному току 2800мОм
SMD Decoupling inductor 1210 L=68uH, I=140mA, Rdc=2800mOhm ЧИП-индуктивность развязки 1210 68мкГн, 140мА, по постоянному току 2800мОм
NLCV32T-680K-PF, ЧИП-индуктивность развязки 1210 68мкГн, 140мА, по постоянному току 2800мОм
SMD Decoupling inductor 1210 L=68uH, I=140mA, Rdc=2800mOhm ЧИП-индуктивность развязки 1210 68мкГн, 140мА, по постоянному току 2800мОм
NLCV32T-R15M-EFR, ЧИП-индуктивность 0.15мкГн, ±20%, 500мГц, AEC-Q200
INDUCTOR, 0.15UH, 20%, 500MHZ, 3225; Inductance:150nH; Product Range:NLCV32-EFR Series; DC Current Rating:2.6A; High Frequency Inductor Case:1210 [3225 Metric]; Inductor Construction:Wirewound; DC Resistance Max:0.0288ohm; Inductance Tolerance:± 20%; Self ЧИП-индуктивность 0.15мкГн, ±20%, 500мГц, AEC-Q200
NLCV32T-R15M-EFR, ЧИП-индуктивность 0.15мкГн, ±20%, 500мГц, AEC-Q200
INDUCTOR, 0.15UH, 20%, 500MHZ, 3225; Inductance:150nH; Product Range:NLCV32-EFR Series; DC Current Rating:2.6A; High Frequency Inductor Case:1210 [3225 Metric]; Inductor Construction:Wirewound; DC Resistance Max:0.0288ohm; Inductance Tolerance:± 20%; Self ЧИП-индуктивность 0.15мкГн, ±20%, 500мГц, AEC-Q200
NLCV32T-R47M-EFR, ЧИП-индуктивность силовая проволочная неэкранированная 470нГн ±20% 25.2МГц 10Q-Фактор феррит 2A 45.6мОм 1210 лента на катушке
Inductor Power Unshielded Wirewound 470nH 20% 25.2MHz 10Q-Factor Ferrite 2A 45.6mOhm DCR 1210 T/R ЧИП-индуктивность силовая проволочная неэкранированная 470нГн ±20% 25.2МГц 10Q-Фактор феррит 2A 45.6мОм 1210 лента на катушке
NLCV32T-R47M-EFR, ЧИП-индуктивность силовая проволочная неэкранированная 470нГн ±20% 25.2МГц 10Q-Фактор феррит 2A 45.6мОм 1210 лента на катушке
Inductor Power Unshielded Wirewound 470nH 20% 25.2MHz 10Q-Factor Ferrite 2A 45.6mOhm DCR 1210 T/R ЧИП-индуктивность силовая проволочная неэкранированная 470нГн ±20% 25.2МГц 10Q-Фактор феррит 2A 45.6мОм 1210 лента на катушке
NLFV25T-101K-PF, ЧИП-индуктивность формованная проволочная серия NLFV 1008 100 мкГн ±10 % 40 мА 4Ом
NLFV Series 1008 100 uH В±10 % 40 mA 4 Ohm SMT Molded Wirewound Inductor ЧИП-индуктивность формованная проволочная серия NLFV 1008 100 мкГн ±10 % 40 мА 4Ом
NLFV25T-101K-PF, ЧИП-индуктивность формованная проволочная серия NLFV 1008 100 мкГн ±10 % 40 мА 4Ом
NLFV Series 1008 100 uH В±10 % 40 mA 4 Ohm SMT Molded Wirewound Inductor ЧИП-индуктивность формованная проволочная серия NLFV 1008 100 мкГн ±10 % 40 мА 4Ом
NLFV32T-1R0M-EF, ЧИП-индуктивность силовая проволочная экранированная 1мкГн ±20% 7.96МГц 5Q-Фактор феррит 0.75A 0.072Ом 1210 лента на катушке
Inductor Power Shielded Wirewound 1uH 20% 7.96MHz 5Q-Factor Ferrite 0.75A 0.072Ohm DCR 1210 T/R ЧИП-индуктивность силовая проволочная экранированная 1мкГн ±20% 7.96МГц 5Q-Фактор феррит 0.75A 0.072Ом 1210 лента на катушке