Showing 5041–5064 of 6174 results
NLV32T-221J-PF, ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 220мкГн ±5% 796кГц 20Q-фактор феррит 50мА 21Ом по постоянному току 1210 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 220uH 5% 796KHz 20Q-Factor Ferrite 50mA 21Ohm DCR 1210 T/R ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 220мкГн ±5% 796кГц 20Q-фактор феррит 50мА 21Ом по постоянному току 1210 лента на катушке
NLV32T-221J-PF, ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 220мкГн ±5% 796кГц 20Q-фактор феррит 50мА 21Ом по постоянному току 1210 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 220uH 5% 796KHz 20Q-Factor Ferrite 50mA 21Ohm DCR 1210 T/R ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 220мкГн ±5% 796кГц 20Q-фактор феррит 50мА 21Ом по постоянному току 1210 лента на катушке
NLV32T-270J-PF, ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 27мкГн ±5% 2.52МГц 30Q-фактор феррит 80мА 5Ом по постоянному току 1210 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 27uH 5% 2.52MHz 30Q-Factor Ferrite 80mA 5Ohm DCR 1210 T/R ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 27мкГн ±5% 2.52МГц 30Q-фактор феррит 80мА 5Ом по постоянному току 1210 лента на катушке
NLV32T-270J-PF, ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 27мкГн ±5% 2.52МГц 30Q-фактор феррит 80мА 5Ом по постоянному току 1210 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 27uH 5% 2.52MHz 30Q-Factor Ferrite 80mA 5Ohm DCR 1210 T/R ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 27мкГн ±5% 2.52МГц 30Q-фактор феррит 80мА 5Ом по постоянному току 1210 лента на катушке
NLV32T-271J-EF, ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 270мкГн ±5% 796кГц 20Q-Фактор феррит 45мА 28Ом 1210 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 270uH 5% 796KHz 20Q-Factor Ferrite 45mA 28Ohm DCR 1210 T/R ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 270мкГн ±5% 796кГц 20Q-Фактор феррит 45мА 28Ом 1210 лента на катушке
NLV32T-271J-EF, ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 270мкГн ±5% 796кГц 20Q-Фактор феррит 45мА 28Ом 1210 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 270uH 5% 796KHz 20Q-Factor Ferrite 45mA 28Ohm DCR 1210 T/R ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 270мкГн ±5% 796кГц 20Q-Фактор феррит 45мА 28Ом 1210 лента на катушке
NLV32T-2R2J-PF, ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 2.2мкГн ±5% 7.96МГц 30Q-Фактор феррит 0.32A 1Ом 1210 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 2.2uH 5% 7.96MHz 30Q-Factor Ferrite 0.32A 1Ohm DCR 1210 T/R ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 2.2мкГн ±5% 7.96МГц 30Q-Фактор феррит 0.32A 1Ом 1210 лента на катушке
NLV32T-2R2J-PF, ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 2.2мкГн ±5% 7.96МГц 30Q-Фактор феррит 0.32A 1Ом 1210 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 2.2uH 5% 7.96MHz 30Q-Factor Ferrite 0.32A 1Ohm DCR 1210 T/R ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 2.2мкГн ±5% 7.96МГц 30Q-Фактор феррит 0.32A 1Ом 1210 лента на катушке
NLV32T-470J-PF, Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная проволочная 47мкГн ±5% 2.52МГц 30Q-Фактор феррит 60мА 7Ом по постоянному току 1210 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 47uH 5% 2.52MHz 30Q-Factor Ferrite 60mA 7Ohm DCR 1210 T/R Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная проволочная 47мкГн ±5% 2.52МГц 30Q-Фактор феррит 60мА 7Ом по постоянному току 1210 лента на катушке
NLV32T-470J-PF, Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная проволочная 47мкГн ±5% 2.52МГц 30Q-Фактор феррит 60мА 7Ом по постоянному току 1210 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 47uH 5% 2.52MHz 30Q-Factor Ferrite 60mA 7Ohm DCR 1210 T/R Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная проволочная 47мкГн ±5% 2.52МГц 30Q-Фактор феррит 60мА 7Ом по постоянному току 1210 лента на катушке
NLV32T-471J-EF, ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 470мкГн ±5% 796кГц 20Q-Фактор феррит 25мА 40Ом 1210 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 470uH 5% 796KHz 20Q-Factor Ferrite 25mA 40Ohm DCR 1210 T/R ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 470мкГн ±5% 796кГц 20Q-Фактор феррит 25мА 40Ом 1210 лента на катушке
NLV32T-471J-EF, ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 470мкГн ±5% 796кГц 20Q-Фактор феррит 25мА 40Ом 1210 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 470uH 5% 796KHz 20Q-Factor Ferrite 25mA 40Ohm DCR 1210 T/R ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 470мкГн ±5% 796кГц 20Q-Фактор феррит 25мА 40Ом 1210 лента на катушке
NLV32T-5R6J-EF, ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 5.6мкГн ±5% 7.96МГц 30Q-фактор феррит 200мА 1.6Ом по постоянному току 1210 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 5.6uH 5% 7.96MHz 30Q-Factor Ferrite 200mA 1.6Ohm DCR 1210 T/R ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 5.6мкГн ±5% 7.96МГц 30Q-фактор феррит 200мА 1.6Ом по постоянному току 1210 лента на катушке
NLV32T-5R6J-EF, ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 5.6мкГн ±5% 7.96МГц 30Q-фактор феррит 200мА 1.6Ом по постоянному току 1210 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 5.6uH 5% 7.96MHz 30Q-Factor Ferrite 200mA 1.6Ohm DCR 1210 T/R ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 5.6мкГн ±5% 7.96МГц 30Q-фактор феррит 200мА 1.6Ом по постоянному току 1210 лента на катушке
NLV32T-R56J-EF, Дроссель ферритовый, SMD, 1210, 560нГн, 450мА, 550мОм, Q 30, ±5%
Дроссель ферритовый, SMD, 1210, 560нГн, 450мА, 550мОм, Q 30, ±5%
NLV32T-R56J-EF, Дроссель ферритовый, SMD, 1210, 560нГн, 450мА, 550мОм, Q 30, ±5%
Дроссель ферритовый, SMD, 1210, 560нГн, 450мА, 550мОм, Q 30, ±5%
NLV32T-R56J-PF, ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 0.56мкГн ±5% 25.2МГц 30Q-Фактор феррит 0.45A 0.55Ом 1210 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 0.56uH 5% 25.2MHz 30Q-Factor Ferrite 0.45A 0.55Ohm DCR 1210 T/R ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 0.56мкГн ±5% 25.2МГц 30Q-Фактор феррит 0.45A 0.55Ом 1210 лента на катушке
NLV32T-R56J-PF, ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 0.56мкГн ±5% 25.2МГц 30Q-Фактор феррит 0.45A 0.55Ом 1210 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 0.56uH 5% 25.2MHz 30Q-Factor Ferrite 0.45A 0.55Ohm DCR 1210 T/R ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 0.56мкГн ±5% 25.2МГц 30Q-Фактор феррит 0.45A 0.55Ом 1210 лента на катушке
NR3015T1R0N, ЧИП-индуктивность силовая экранированная серия NR 1 мкГн ±30% 2.1 A 36мОм
NR Series 1 uH В±30% 2.1 A 36 mOhm Shielded SMT Wirewound Power Inductor ЧИП-индуктивность силовая экранированная серия NR 1 мкГн ±30% 2.1 A 36мОм
NR3015T1R0N, ЧИП-индуктивность силовая экранированная серия NR 1 мкГн ±30% 2.1 A 36мОм
NR Series 1 uH В±30% 2.1 A 36 mOhm Shielded SMT Wirewound Power Inductor ЧИП-индуктивность силовая экранированная серия NR 1 мкГн ±30% 2.1 A 36мОм
P0250.104NLT, ЧИП-индуктивность 100мкГн/3A/190мОм
100uH/3A/190 mOhm ЧИП-индуктивность 100мкГн/3A/190мОм
P0250.104NLT, ЧИП-индуктивность 100мкГн/3A/190мОм
100uH/3A/190 mOhm ЧИП-индуктивность 100мкГн/3A/190мОм
P0250.104NLT, ЧИП-индуктивность 100мкГн/3A/190мОм
100uH/3A/190 mOhm ЧИП-индуктивность 100мкГн/3A/190мОм
PA4332.152NLT, Силовая SMD индуктивность 1.5мкГн ±20% 5.2A 0.036ом c магнитным экраном лента на катушке
Inductor Power Shielded Drum Core 1.5uH 20% 1MHz 5.2A 0.036Ohm DCR 1515 T/R Силовая SMD индуктивность 1.5мкГн ±20% 5.2A 0.036ом c магнитным экраном лента на катушке