Дроссели SMD-исполнения(6174)

Ind Power Wirewound 150uH 10% 1KHz 12Q-Factor Ferrite 580mA 680mOhm ЧИП-индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 150мкГн ±10% 1кГц 12-добротность 580мА 680мОм

Inductor Power Wirewound 1500uH 10% 1KHz 27Q-Factor Ferrite 0.15A 8Ohm DCR T/R ЧИП-индуктивность силовая проволочная 1500мкГн ±10% 1кГц 27Q-Фактор феррит 0.15A 8Ом лента на катушке

Ind Power Wirewound 180uH 10% 1KHz 12Q-Factor Ferrite 510mA 770mOhm ЧИП-индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 180мкГн ±10% 1кГц 12-добротность 510мА 770мОм

Inductor Power Wirewound 1.5uH 20% 1KHz 32Q-Factor Ferrite 6A 20mOhm DCR T/R ЧИП-индуктивность силовая проволочная 1.5мкГн ±20% 1кГц 32Q-Фактор феррит 6A 20мОм лента на катушке

Ind Power Wirewound 22uH 20% 1KHz 20Q-Factor Ferrite 1.5A 110mOhm DCR T/R ЧИП-индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 22мкГн ±20% 1кГц 20Q-Factor 1.5A лента на катушке

Ind Power Wirewound; SMD; 220uH 10% 1KHz 12Q-Factor 490mA T&R ЧИП-индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 220мкГн ±10% 1кГц 12-добротность 490мА 960мОм

Inductor Power Wirewound 2200uH 10% 1KHz 29Q-Factor Ferrite 0.13A 10Ohm DCR T/R ЧИП-индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 2200мкГн ±10% 1КГц 29-добротность 130мА 10Ом лента на катушке

Inductor Power Unshielded Wirewound 33uH ±10%, 1.2A, 0.14Om ЧИП-индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 33мкГн ±10% 1кГц 15-добротность 1.2A 140мОм

Ind Power Wirewound; SMD; 330uH 10% 1KHz 12Q-Factor 400mA T&R ЧИП-индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 330мкГн ±10% 1кГц 12Q-Factor 400мА лента на катушке

Ind Power Wirewound 3.3uH 20% 1KHz 32Q-Factor Ferrite 4.5A ЧИП-индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 3.3мкГн ±20% 1кГц 32-добротность 4.5A

Ind Power Wirewound; SMD; 47uH 10% 1KHz 15Q-Factor 1A T&R ЧИП-индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 47мкГн ±10% 1кГц 15-добротность 1A 20мОм лента на катушке

Ind Power Wirewound; SMD; 470uH 10% 1KHz 12Q-Factor 340mA T&R ЧИП-индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 470мкГн ±10% 1кГц 12-добротность 340мА 1.96Ом