Описание IR2101PBF
MOSFET & IGBT Gate Drivers, High and Low Side, Infineon
Gate Driver ICs from Infineon to control MOSFET or IGBT power devices in high-side and low-side configurations.
| Конфигурация | half-bridge |
| Тип канала | независимый |
| Кол-во каналов | 2 |
| Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET |
| Напряжение питания, В | 10…20 |
| Логическое напряжение (VIL), В | 0.8 |
| Логическое напряжение (VIH), В | 3 |
| Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 0.21 |
| Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 0.36 |
| Тип входа | неинвертирующий |
| Максимальное напряжение смещения, В | 600 |
| Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 100 |
| Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 50 |
| Рабочая температура, °C | -40…+150 (TJ) |
| Корпус | DIP-8 (0.300 inch) |
| Вес, г | 1 |