Описание IR21271SPBF
Корпус SO-8, Кол-во нижних каналов 0, Кол-во верхних каналов 1, Максимальное напряжение смещения 600 В, Максимальный выходной ток нарастания 200 мА, Максимальный выходной ток спада 420 мА
| Конфигурация | High-Side/Low-Side |
| Тип канала | Один |
| Кол-во каналов | 1 |
| Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET |
| Напряжение питания, В | 9…20 |
| Логическое напряжение (VIL), В | 0.8 |
| Логическое напряжение (VIH), В | 3 |
| Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 0.25 |
| Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 0.5 |
| Тип входа | неинвертирующий |
| Максимальное напряжение смещения, В | 600 |
| Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 80 |
| Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 40 |
| Рабочая температура, °C | -40…+150 (TJ) |
| Корпус | soic-8 (0.154 inch) |
| Вес, г | 0.15 |