Описание IR2132SPBF
MOSFET & IGBT Gate Drivers, Three-Phase, Infineon
A range of full-bridge drivers designed to control MOSFET and IGBT power devices in 3-phase applications. The devices feature a maximum blocking voltage of 600 V and low-side control using CMOS and TTL compatible signal levels.
| Конфигурация | half-bridge |
| Тип канала | 3-фазный |
| Кол-во каналов | 6 |
| Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET |
| Напряжение питания, В | 10…20 |
| Логическое напряжение (VIL), В | 0.8 |
| Логическое напряжение (VIH), В | 2.2 |
| Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 0.25 |
| Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 0.5 |
| Тип входа | инвертирующий |
| Максимальное напряжение смещения, В | 600 |
| Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 80 |
| Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 35 |
| Рабочая температура, °C | -40…+150 (TJ) |
| Корпус | dip-28 (0.600 inch) |
| Вес, г | 1.7 |