Описание L6384ED
Драйверы FET-IGBT – [SOIC-8-3.9]; Nнижн: 1; Nверхн: 1; Uoffset: 600 В; Iout+: 400 мА; Iout-: 650 мА; Опции: Вход сброса
Корпус SO-8, Кол-во нижних каналов 1, Кол-во верхних каналов 1, Максимальное напряжение смещения 600 В, Максимальный выходной ток нарастания 400 мА, Максимальный выходной ток спада 650 мА
| Конфигурация | half-bridge |
| Тип канала | синхронный |
| Кол-во каналов | 2 |
| Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET |
| Напряжение питания, В | 14.6…16.6 |
| Логическое напряжение (VIL), В | 1.5 |
| Логическое напряжение (VIH), В | 3.6 |
| Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 0.4 |
| Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 0.65 |
| Тип входа | инвертирующий |
| Максимальное напряжение смещения, В | 600 |
| Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 50 |
| Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 30 |
| Рабочая температура, °C | -45…+125 (TJ) |
| Корпус | soic-8 (0.154 inch) |
| Вес, г | 0.15 |