Описание L6390D
Драйверы FET-IGBT – [SOIC-16-3.9]; Nнижн: 1; Nверхн: 1; Uoffset: 600 В; Iout+: 290 мА; Iout-: 430 мА; Опции: Вход сброса, Защита по току, Флаг защиты
Корпус SO-16, Кол-во нижних каналов 1, Кол-во верхних каналов 1, Максимальное напряжение смещения 600 В, Максимальный выходной ток нарастания 290 мА, Максимальный выходной ток спада 430 мА
| Конфигурация | half-bridge |
| Тип канала | независимый |
| Кол-во каналов | 2 |
| Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET |
| Напряжение питания, В | 12.5…20 |
| Логическое напряжение (VIL), В | 1.1 |
| Логическое напряжение (VIH), В | 1.9 |
| Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 0.29 |
| Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 0.43 |
| Тип входа | неинвертирующий |
| Максимальное напряжение смещения, В | 600 |
| Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 75 |
| Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 35 |
| Рабочая температура, °C | -40…+150 (TJ) |
| Корпус | SOIC-16 (0.154 inch) |
| Вес, г | 0.3 |