Маркировка | 8.2nH 630mA |
---|---|
Корпус | 0805 |
Нормоупаковка | 1 шт |
Вес брутто | 0.05 г |
Индуктивность | 8.2nH |
Допуск | ±0.5nH |
Максимальный ток | 630mA |
Резонансная частота | 100MHz |
LQW2BHN8N2D03L, Проволочная SMD индуктивность 8,2нГн ±0,5нГн 630мА 120мОм по постоянному току
Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 8.2nH 0.5nH 100MHz 20Q-Factor Ceramic 630mA 120mOhm DCR 0805 T
Проволочная SMD индуктивность 8,2нГн ±0,5нГн 630мА 120мОм по постоянному току