MLG1005S82NHTD25, ЧИП-индуктивность ысокочастотная многослойная неэкранированная 0.082мкГн ±3% 100МГц 8Q-фактор керамика 0.2A 1.6Ом

Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.082uH 3% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.2A 1.6Ohm

ЧИП-индуктивность ысокочастотная многослойная неэкранированная 0.082мкГн ±3% 100МГц 8Q-фактор керамика 0.2A 1.6Ом